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数量 | 价格 | 总计 |
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制造商 Texas Instruments
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 194 A
漏源电阻 3.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 64 nC
耗散功率 188 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3 ns
正向跨导(Min) 249 S
湿度敏感性 Yes
上升时间 6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 17 ns
典型接通延迟时间 8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
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0CSD18511KTT
型号:CSD18511KTT
品牌:TI
供货:锐单
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