APT100GT120JR
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- 制造商编号：
- APT100GT120JR
- 制造商：
- MICROSEMI(美高森美)
- 产品类别：
- 晶体管IGBT
- 商品描述：
- IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：20
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 20 | ￥233.719495 | ￥4674.39 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
APT100GT120JR
制造商
MICROSEMI(美高森美)
商品描述
IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP
包装
-
系列
Thunderbolt IGBT®
零件状态
Active
IGBT 类型
NPT
配置
Single
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
123A
功率 - 最大值
570W
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
3.7V @ 15V, 100A
电流 - 集电极截止（最大值）
100µA
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
6.7nF @ 25V
输入
Standard
NTC 热敏电阻
No
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/外壳
SOT-227-4, miniBLOC
供应商器件封装
ISOTOP®
APT100GT120JR 同类别型号
注
APT100GT120JR品牌厂家：MICROSEMI
，所属分类： 晶体管IGBT
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替代型号
、APT100GT120JR
数据手册PDF
。
APT100GT120JR
型号：APT100GT120JR
品牌：MICROSEMI
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 20+： | ￥233.719495 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00