SH8K2TB1
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥3.097815 | ￥7744.54 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 33 mOhms
耗散功率 2 W
正向跨导（Min） 4 S
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 83 mg
SH8K2TB1 同类别型号
注
SH8K2TB1品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SH8K2TB1
数据手册PDF。
SH8K2TB1
型号：SH8K2TB1
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥3.097815 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00