商品描述
MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
包装
Tube
Alternate Packaging
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
5.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
35mOhm @ 4.1A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
27nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
510pF @ 25V
FET 功能
Schottky Diode (Isolated)
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)