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起订量:10
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
10 | ¥12.198096 | ¥121.98 |
100 | ¥8.70912 | ¥870.91 |
200 | ¥6.659568 | ¥1331.91 |
500 | ¥5.655024 | ¥2827.51 |
800 | ¥5.086224 | ¥4068.98 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 2.9 A
漏源电阻 125 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 24.2 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 7.2 S
上升时间 4.1 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 3.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
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0ZXMP6A16DN8TC
型号:ZXMP6A16DN8TC
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
10+: | ¥12.198096 |
100+: | ¥8.70912 |
200+: | ¥6.659568 |
500+: | ¥5.655024 |
800+: | ¥5.086224 |
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