货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥21.183222 | ¥21.18 |
10 | ¥17.582075 | ¥175.82 |
100 | ¥13.98965 | ¥1398.96 |
500 | ¥11.837184 | ¥5918.59 |
1000 | ¥10.04359 | ¥10043.59 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 1.65 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 117 nC
耗散功率 71.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 110 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 42 ns
典型接通延迟时间 16 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIRA02DP-GE3
单位重量 506.600 mg
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0SIRA02DP-T1-GE3
型号:SIRA02DP-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥21.183222 |
10+: | ¥17.582075 |
100+: | ¥13.98965 |
500+: | ¥11.837184 |
1000+: | ¥10.04359 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥21.18