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制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 1.45 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 130 nC
耗散功率 83 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导(Min) 100 S
上升时间 9 ns
典型关闭延迟时间 44 ns
典型接通延迟时间 16 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
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0SIR158DP-T1-RE3
型号:SIR158DP-T1-RE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
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