STGF10M65DF2
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥11.517884 | ￥11.52 |
| 10 | ￥10.348556 | ￥103.49 |
| 25 | ￥9.763892 | ￥244.10 |
| 100 | ￥7.615835 | ￥761.58 |
| 250 | ￥7.420558 | ￥1855.14 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STGF10M65DF2
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
IGBT TRENCH 650V 20A TO220FP
包装
-
系列
M
零件状态
Active
IGBT 类型
Trench Field Stop
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
20A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
40A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
2V @ 15V, 10A
功率 - 最大值
30W
开关能量
120µJ (on), 270µJ (off)
输入类型
Standard
栅极电荷
28nC
25°C 时 Td（开/关）值
19ns/91ns
测试条件
400V, 10A, 22Ohm, 15V
反向恢复时间（trr）
96ns
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/外壳
TO-220-3 Full Pack
供应商器件封装
TO-220FP
STGF10M65DF2 同类别型号
注
STGF10M65DF2品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、STGF10M65DF2
数据手册PDF。
STGF10M65DF2
型号：STGF10M65DF2
品牌：ST
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥11.517884 |
| 10+： | ￥10.348556 |
| 25+： | ￥9.763892 |
| 100+： | ￥7.615835 |
| 250+： | ￥7.420558 |
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥11.52