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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
饱和电压 2.2 V
在25 C的连续集电极电流 30 A
耗散功率 17 W
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 2.270 g
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0FGPF15N60UNDF
型号:FGPF15N60UNDF
品牌:ON
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