RGT16TM65DGC9
库存 ：998
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥27.677484 | ￥27.68 |
| 10 | ￥24.810888 | ￥248.11 |
| 100 | ￥19.946323 | ￥1994.63 |
| 500 | ￥16.388036 | ￥8194.02 |
| 1000 | ￥13.578772 | ￥13578.77 |
| 2000 | ￥13.251833 | ￥26503.67 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.65 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 9 A
耗散功率 22 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGT16TM65D
RGT16TM65DGC9 同类别型号
注
RGT16TM65DGC9
型号：RGT16TM65DGC9
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：998 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥27.677484 |
| 10+： | ￥24.810888 |
| 100+： | ￥19.946323 |
| 500+： | ￥16.388036 |
| 1000+： | ￥13.578772 |
| 2000+： | ￥13.251833 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥27.68