RGT16TM65DGC9
库存 ：998
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥31.734324 | ￥31.73 |
| 10 | ￥28.447556 | ￥284.48 |
| 100 | ￥22.869965 | ￥2287.00 |
| 500 | ￥18.790121 | ￥9395.06 |
| 1000 | ￥15.569087 | ￥15569.09 |
| 2000 | ￥15.194226 | ￥30388.45 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.65 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 9 A
耗散功率 22 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGT16TM65D
RGT16TM65DGC9 同类别型号
注
RGT16TM65DGC9
型号：RGT16TM65DGC9
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：998 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥31.734324 |
| 10+： | ￥28.447556 |
| 100+： | ￥22.869965 |
| 500+： | ￥18.790121 |
| 1000+： | ￥15.569087 |
| 2000+： | ￥15.194226 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥31.73