货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥19.976037 | ¥19.98 |
10 | ¥17.957332 | ¥179.57 |
100 | ¥14.713336 | ¥1471.33 |
500 | ¥12.525257 | ¥6262.63 |
1000 | ¥10.677332 | ¥10677.33 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.65 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 14 A
耗散功率 32 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGT30TM65D
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0RGT30TM65DGC9
型号:RGT30TM65DGC9
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥19.976037 |
10+: | ¥17.957332 |
100+: | ¥14.713336 |
500+: | ¥12.525257 |
1000+: | ¥10.677332 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥19.98