
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥23.660817 | ¥23.66 |
| 10 | ¥19.655582 | ¥196.56 |
| 100 | ¥15.638945 | ¥1563.89 |
| 500 | ¥13.232953 | ¥6616.48 |
| 1000 | ¥11.228055 | ¥11228.06 |
| 2000 | ¥10.66661 | ¥21333.22 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 1.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 131 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8.6 ns
正向跨导(Min) 65 S
上升时间 8.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 51 ns
典型接通延迟时间 13 ns
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC016N03LS G SP000237663
单位重量 122 mg
购物车
0BSC016N03LSGATMA1
型号:BSC016N03LSGATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥23.660817 |
| 10+: | ¥19.655582 |
| 100+: | ¥15.638945 |
| 500+: | ¥13.232953 |
| 1000+: | ¥11.228055 |
| 2000+: | ¥10.66661 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥23.66