NTLGD3502NT2G
库存 ：1000
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.487059 | ￥8.49 |
| 25 | ￥7.611934 | ￥190.30 |
| 50 | ￥7.116581 | ￥355.83 |
| 100 | ￥6.786345 | ￥678.63 |
| 250 | ￥6.489133 | ￥1622.28 |
| 500 | ￥6.208433 | ￥3104.22 |
| 1000 | ￥5.878197 | ￥5878.20 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4.3 A
漏源电阻 60 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 2.9 nC
耗散功率 1.74 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 17.5 ns
上升时间 17.5 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 8.6 ns
典型接通延迟时间 7 ns
外形参数
高度 0.87 mm
长度 3 mm
宽度 3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 21.100 mg
NTLGD3502NT2G 同类别型号
注
NTLGD3502NT2G
型号：NTLGD3502NT2G
品牌：ON
供货：锐单
库存：1000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥8.487059 |
| 25+： | ￥7.611934 |
| 50+： | ￥7.116581 |
| 100+： | ￥6.786345 |
| 250+： | ￥6.489133 |
| 500+： | ￥6.208433 |
| 1000+： | ￥5.878197 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.49