NTLJD2105LTBG
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定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
NTLJD2105LTBG
制造商
ON(安森美)
商品描述
MOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6-WDFN
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
N and P-Channel
FET 功能
Standard
漏源电压（Vdss）
8V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2.5A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
50mOhm @ 4A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
功率 - 最大值
520mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
6-WDFN Exposed Pad
供应商器件封装
6-WDFN (2x2)
NTLJD2105LTBG 同类别型号
注
NTLJD2105LTBG
型号：NTLJD2105LTBG
品牌：ON
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