RGT50TM65DGC9
库存 ：1000
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥42.915054 | ￥42.92 |
| 10 | ￥36.061085 | ￥360.61 |
| 100 | ￥29.172286 | ￥2917.23 |
| 500 | ￥25.931142 | ￥12965.57 |
| 1000 | ￥22.203504 | ￥22203.50 |
| 2000 | ￥20.906971 | ￥41813.94 |
| 5000 | ￥20.058124 | ￥100290.62 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.65 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 30 A
耗散功率 133 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGT50TM65D
RGT50TM65DGC9 同类别型号
注
RGT50TM65DGC9
型号：RGT50TM65DGC9
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：1000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥42.915054 |
| 10+： | ￥36.061085 |
| 100+： | ￥29.172286 |
| 500+： | ￥25.931142 |
| 1000+： | ￥22.203504 |
| 2000+： | ￥20.906971 |
| 5000+： | ￥20.058124 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥42.92