RGT40NS65DGC9
库存 ：1000
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥35.708909 | ￥35.71 |
| 10 | ￥32.125662 | ￥321.26 |
| 25 | ￥30.301913 | ￥757.55 |
| 100 | ￥23.637073 | ￥2363.71 |
| 250 | ￥23.03064 | ￥5757.66 |
| 500 | ￥20.000202 | ￥10000.10 |
| 1000 | ￥16.969763 | ￥16969.76 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.65 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 40 A
耗散功率 161 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGT40NS65D(TO-262)
RGT40NS65DGC9 同类别型号
注
RGT40NS65DGC9
型号：RGT40NS65DGC9
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：1000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥35.708909 |
| 10+： | ￥32.125662 |
| 25+： | ￥30.301913 |
| 100+： | ￥23.637073 |
| 250+： | ￥23.03064 |
| 500+： | ￥20.000202 |
| 1000+： | ￥16.969763 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥35.71