NGTB35N65FL2WG
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥28.698697 | ￥28.70 |
| 10 | ￥25.788568 | ￥257.89 |
| 100 | ￥21.129488 | ￥2112.95 |
| 500 | ￥17.987124 | ￥8993.56 |
| 1000 | ￥15.169821 | ￥15169.82 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 2.2 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 70 A
耗散功率 300 W
集电极连续电流（Max） 70 A
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 38 g
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注
NGTB35N65FL2WG
型号：NGTB35N65FL2WG
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥28.698697 |
| 10+： | ￥25.788568 |
| 100+： | ￥21.129488 |
| 500+： | ￥17.987124 |
| 1000+： | ￥15.169821 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥28.70