FGAF40S65AQ
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥26.332806 | ￥26.33 |
| 10 | ￥18.603276 | ￥186.03 |
| 100 | ￥15.236345 | ￥1523.63 |
| 500 | ￥12.844776 | ￥6422.39 |
| 1000 | ￥11.781769 | ￥11781.77 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.6 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 80 A
耗散功率 94 W
集电极连续电流（Max） 80 A
栅极—射极漏泄电流 400 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 8.538 g
FGAF40S65AQ 同类别型号
注
FGAF40S65AQ品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、FGAF40S65AQ
数据手册PDF。
FGAF40S65AQ
型号：FGAF40S65AQ
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥26.332806 |
| 10+： | ￥18.603276 |
| 100+： | ￥15.236345 |
| 500+： | ￥12.844776 |
| 1000+： | ￥11.781769 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥26.33