货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥50.678568 | ¥50.68 |
10 | ¥45.538657 | ¥455.39 |
100 | ¥37.308793 | ¥3730.88 |
500 | ¥31.76033 | ¥15880.16 |
1000 | ¥27.074605 | ¥27074.60 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
饱和电压 1.4 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 48 A
耗散功率 111 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGCL60TS60
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0RGCL60TS60GC11
型号:RGCL60TS60GC11
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥50.678568 |
10+: | ¥45.538657 |
100+: | ¥37.308793 |
500+: | ¥31.76033 |
1000+: | ¥27.074605 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥50.68