货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥53.276712 | ¥53.28 |
10 | ¥47.810359 | ¥478.10 |
100 | ¥39.176297 | ¥3917.63 |
500 | ¥33.349835 | ¥16674.92 |
1000 | ¥28.429655 | ¥28429.65 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
饱和电压 1.4 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 65 A
耗散功率 148 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGCL80TS60
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0RGCL80TS60GC11
型号:RGCL80TS60GC11
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥53.276712 |
10+: | ¥47.810359 |
100+: | ¥39.176297 |
500+: | ¥33.349835 |
1000+: | ¥28.429655 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥53.28