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NGTG35N65FL2WG

ON(安森美)
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制造商编号：
NGTG35N65FL2WG
制造商：
ON(安森美)
产品类别：
晶体管-IGBT
商品描述：
IGBT 650V 60A 167W TO247
渠道：
digikey

库存 ：102

货期：（7~10天）

起订量：1

整装： ￥10

定价（含税）

数量 价格 总计
1 ￥52.561573 ￥52.56
10 ￥47.206243 ￥472.06
100 ￥38.677385 ￥3867.74

规格参数

关键信息

制造商 onsemi

商标 onsemi

技术类参数

技术 Si

配置 Single

击穿电压(集电极-发射极) 650 V

饱和电压 2.2 V

栅极/发射极最大电压 20 V

在25 C的连续集电极电流 70 A

耗散功率 300 W

集电极连续电流（Max） 35 A

栅极—射极漏泄电流 200 nA

物理类型

产品种类 IGBT 晶体管

安装风格 Through Hole

产品类型 IGBT Transistors

单位重量 38 g

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注

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NGTG35N65FL2WG

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型号：NGTG35N65FL2WG

品牌：ON

供货：锐单

库存：102 MPQ：4000 MOQ：1

单价：

1+： ￥52.561573
10+： ￥47.206243
100+： ￥38.677385

货期：7-10天

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单价：￥0.00总价：￥52.56