货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥52.559978 | ¥52.56 |
| 10 | ¥47.20481 | ¥472.05 |
| 100 | ¥38.67621 | ¥3867.62 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 2.2 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 70 A
耗散功率 300 W
集电极连续电流(Max) 35 A
栅极—射极漏泄电流 200 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 38 g
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0NGTG35N65FL2WG
型号:NGTG35N65FL2WG
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥52.559978 |
| 10+: | ¥47.20481 |
| 100+: | ¥38.67621 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥52.56