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NGTG35N65FL2WG

ON(安森美)
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制造商编号:
NGTG35N65FL2WG
制造商:
ON(安森美)
产品类别:
晶体管-IGBT
商品描述:
IGBT 650V 60A 167W TO247
渠道:
digikey

库存 :102

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 45.840836 45.84
10 41.170261 411.70
100 33.731936 3373.19

规格参数

关键信息

制造商 onsemi

商标 onsemi

技术类参数

技术 Si

配置 Single

击穿电压(集电极-发射极) 650 V

饱和电压 2.2 V

栅极/发射极最大电压 20 V

在25 C的连续集电极电流 70 A

耗散功率 300 W

集电极连续电流(Max) 35 A

栅极—射极漏泄电流 200 nA

物理类型

产品种类 IGBT 晶体管

安装风格 Through Hole

产品类型 IGBT Transistors

单位重量 38 g

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NGTG35N65FL2WG

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型号:NGTG35N65FL2WG

品牌:ON

供货:锐单

库存:102 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥45.840836
10+: ¥41.170261
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