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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
饱和电压 1.9 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 40 A
耗散功率 62.5 W
栅极—射极漏泄电流 400 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 7 g
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0FGAF20N60SMD
型号:FGAF20N60SMD
品牌:ON
供货:锐单
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