RGCL60TS60DGC11
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥27.300208 | ￥27.30 |
| 10 | ￥24.525156 | ￥245.25 |
| 100 | ￥20.093516 | ￥2009.35 |
| 500 | ￥17.10524 | ￥8552.62 |
| 1000 | ￥14.581688 | ￥14581.69 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
饱和电压 1.4 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 48 A
耗散功率 111 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGCL60TS60D
RGCL60TS60DGC11 同类别型号
注
RGCL60TS60DGC11品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、RGCL60TS60DGC11
数据手册PDF。
RGCL60TS60DGC11
型号：RGCL60TS60DGC11
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥27.300208 |
| 10+： | ￥24.525156 |
| 100+： | ￥20.093516 |
| 500+： | ￥17.10524 |
| 1000+： | ￥14.581688 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥27.30