货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥33.706272 | ¥33.71 |
10 | ¥30.280047 | ¥302.80 |
100 | ¥24.808511 | ¥2480.85 |
500 | ¥21.11903 | ¥10559.51 |
1000 | ¥18.003319 | ¥18003.32 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
饱和电压 1.4 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 48 A
耗散功率 111 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGCL60TS60D
购物车
0RGCL60TS60DGC11
型号:RGCL60TS60DGC11
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥33.706272 |
10+: | ¥30.280047 |
100+: | ¥24.808511 |
500+: | ¥21.11903 |
1000+: | ¥18.003319 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥33.71