RGW60TS65GC11
库存 ：440
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥49.424095 | ￥49.42 |
| 10 | ￥44.407549 | ￥444.08 |
| 25 | ￥41.980826 | ￥1049.52 |
| 100 | ￥33.583673 | ￥3358.37 |
| 250 | ￥31.717913 | ￥7929.48 |
| 500 | ￥29.852153 | ￥14926.08 |
| 1000 | ￥26.120634 | ￥26120.63 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.5 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 60 A
耗散功率 178 W
集电极连续电流（Max） 60 A
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
RGW60TS65GC11 同类别型号
注
RGW60TS65GC11
型号：RGW60TS65GC11
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：440 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥49.424095 |
| 10+： | ￥44.407549 |
| 25+： | ￥41.980826 |
| 100+： | ￥33.583673 |
| 250+： | ￥31.717913 |
| 500+： | ￥29.852153 |
| 1000+： | ￥26.120634 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥49.42