RGTV60TS65GC11
库存 ：170
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥62.473669 | ￥62.47 |
| 10 | ￥56.116912 | ￥561.17 |
| 100 | ￥45.975272 | ￥4597.53 |
| 500 | ￥39.137932 | ￥19568.97 |
| 1000 | ￥33.363856 | ￥33363.86 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.5 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 60 A
耗散功率 194 W
集电极连续电流（Max） 60 A
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGTV60TS65
RGTV60TS65GC11 同类别型号
注
RGTV60TS65GC11
型号：RGTV60TS65GC11
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：170 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥62.473669 |
| 10+： | ￥56.116912 |
| 100+： | ￥45.975272 |
| 500+： | ￥39.137932 |
| 1000+： | ￥33.363856 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥62.47