RGW80TS65GC11
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥30.58325 | ￥30.58 |
| 10 | ￥27.440906 | ￥274.41 |
| 100 | ￥22.484291 | ￥2248.43 |
| 500 | ￥19.140522 | ￥9570.26 |
| 1000 | ￥16.316669 | ￥16316.67 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.5 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 78 A
耗散功率 214 W
集电极连续电流（Max） 78 A
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
RGW80TS65GC11 同类别型号
注
RGW80TS65GC11品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-IGBT
，可在锐单商城现货采购RGW80TS65GC11、查询RGW80TS65GC11代理商；
RGW80TS65GC11价格批发咨询客服；这里拥有
RGW80TS65GC11中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到RGW80TS65GC11
替代型号
、RGW80TS65GC11
数据手册PDF。
RGW80TS65GC11
型号：RGW80TS65GC11
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥30.58325 |
| 10+： | ￥27.440906 |
| 100+： | ￥22.484291 |
| 500+： | ￥19.140522 |
| 1000+： | ￥16.316669 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥30.58