货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥67.491362 | ¥67.49 |
10 | ¥60.622134 | ¥606.22 |
100 | ¥49.671001 | ¥4967.10 |
500 | ¥42.2837 | ¥21141.85 |
1000 | ¥36.045432 | ¥36045.43 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
饱和电压 1.4 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 30 A
耗散功率 54 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGCL60TK60D
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0RGCL60TK60DGC11
型号:RGCL60TK60DGC11
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥67.491362 |
10+: | ¥60.622134 |
100+: | ¥49.671001 |
500+: | ¥42.2837 |
1000+: | ¥36.045432 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥67.49