RGCL60TK60DGC11
库存 ：74
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥77.38394 | ￥77.38 |
| 10 | ￥69.507851 | ￥695.08 |
| 100 | ￥56.951551 | ￥5695.16 |
| 500 | ￥48.481453 | ￥24240.73 |
| 1000 | ￥41.328807 | ￥41328.81 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
饱和电压 1.4 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 30 A
耗散功率 54 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGCL60TK60D
RGCL60TK60DGC11 同类别型号
注
RGCL60TK60DGC11品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、RGCL60TK60DGC11
数据手册PDF。
RGCL60TK60DGC11
型号：RGCL60TK60DGC11
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：74 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥77.38394 |
| 10+： | ￥69.507851 |
| 100+： | ￥56.951551 |
| 500+： | ￥48.481453 |
| 1000+： | ￥41.328807 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥77.38