RGTH60TK65GC11
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥32.993506 | ￥32.99 |
| 30 | ￥26.129679 | ￥783.89 |
| 120 | ￥22.396817 | ￥2687.62 |
| 510 | ￥19.9084 | ￥10153.28 |
| 1020 | ￥17.046508 | ￥17387.44 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.6 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 28 A
耗散功率 61 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGTH60TK65
RGTH60TK65GC11 同类别型号
注
RGTH60TK65GC11
型号：RGTH60TK65GC11
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥32.993506 |
| 30+： | ￥26.129679 |
| 120+： | ￥22.396817 |
| 510+： | ￥19.9084 |
| 1020+： | ￥17.046508 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥32.99