RGW60TK65GVC11
库存 ：102
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥100.050038 | ￥100.05 |
| 30 | ￥57.179516 | ￥1715.39 |
| 120 | ￥47.73412 | ￥5728.09 |
| 510 | ￥40.811849 | ￥20814.04 |
| 1020 | ￥40.157699 | ￥40960.85 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.5 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 33 A
耗散功率 72 W
集电极连续电流（Max） 33 A
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
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注
RGW60TK65GVC11
型号：RGW60TK65GVC11
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：102 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥100.050038 |
| 30+： | ￥57.179516 |
| 120+： | ￥47.73412 |
| 510+： | ￥40.811849 |
| 1020+： | ￥40.157699 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥100.05