货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥57.45551 | ¥57.46 |
10 | ¥51.549331 | ¥515.49 |
25 | ¥48.7371 | ¥1218.43 |
100 | ¥38.988197 | ¥3898.82 |
250 | ¥36.822434 | ¥9205.61 |
500 | ¥34.656175 | ¥17328.09 |
1000 | ¥30.324154 | ¥30324.15 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.5 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 33 A
耗散功率 76 W
集电极连续电流(Max) 33 A
栅极—射极漏泄电流 200 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
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0RGTV60TK65GVC11
型号:RGTV60TK65GVC11
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥57.45551 |
10+: | ¥51.549331 |
25+: | ¥48.7371 |
100+: | ¥38.988197 |
250+: | ¥36.822434 |
500+: | ¥34.656175 |
1000+: | ¥30.324154 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥57.46