RGTV60TK65GVC11
库存 ：450
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥65.877079 | ￥65.88 |
| 10 | ￥59.105198 | ￥591.05 |
| 25 | ￥55.880763 | ￥1397.02 |
| 100 | ￥44.70291 | ￥4470.29 |
| 250 | ￥42.219699 | ￥10554.92 |
| 500 | ￥39.73592 | ￥19867.96 |
| 1000 | ￥34.76893 | ￥34768.93 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.5 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 33 A
耗散功率 76 W
集电极连续电流（Max） 33 A
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
RGTV60TK65GVC11 同类别型号
注
RGTV60TK65GVC11
型号：RGTV60TK65GVC11
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：450 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥65.877079 |
| 10+： | ￥59.105198 |
| 25+： | ￥55.880763 |
| 100+： | ￥44.70291 |
| 250+： | ￥42.219699 |
| 500+： | ￥39.73592 |
| 1000+： | ￥34.76893 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥65.88