RGW60TS65DGC11
库存 ：450
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥57.45551 | ￥57.46 |
| 10 | ￥51.635822 | ￥516.36 |
| 25 | ￥48.82112 | ￥1220.53 |
| 100 | ￥39.054919 | ￥3905.49 |
| 250 | ￥36.885202 | ￥9221.30 |
| 500 | ￥34.715484 | ￥17357.74 |
| 1000 | ￥30.376049 | ￥30376.05 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.5 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 60 A
耗散功率 178 W
集电极连续电流（Max） 60 A
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
RGW60TS65DGC11 同类别型号
注
RGW60TS65DGC11
型号：RGW60TS65DGC11
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：450 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥57.45551 |
| 10+： | ￥51.635822 |
| 25+： | ￥48.82112 |
| 100+： | ￥39.054919 |
| 250+： | ￥36.885202 |
| 500+： | ￥34.715484 |
| 1000+： | ￥30.376049 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥57.46