RGTH40TK65DGC11
库存 ：450
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥57.82619 | ￥57.83 |
| 10 | ￥51.957079 | ￥519.57 |
| 25 | ￥49.122607 | ￥1228.07 |
| 100 | ￥39.299569 | ￥3929.96 |
| 250 | ￥37.116508 | ￥9279.13 |
| 500 | ￥34.93295 | ￥17466.47 |
| 1000 | ￥30.566332 | ￥30566.33 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.6 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 23 A
耗散功率 56 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGTH40TK65D
RGTH40TK65DGC11 同类别型号
注
RGTH40TK65DGC11
型号：RGTH40TK65DGC11
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：450 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥57.82619 |
| 10+： | ￥51.957079 |
| 25+： | ￥49.122607 |
| 100+： | ￥39.299569 |
| 250+： | ￥37.116508 |
| 500+： | ￥34.93295 |
| 1000+： | ￥30.566332 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥57.83