RGCL80TK60DGC11
库存 ：433
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥71.399918 | ￥71.40 |
| 10 | ￥59.898674 | ￥598.99 |
| 450 | ￥43.07197 | ￥19382.39 |
| 1350 | ￥36.880363 | ￥49788.49 |
| 2250 | ￥34.726777 | ￥78135.25 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
饱和电压 1.4 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 35 A
耗散功率 57 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGCL80TK60D
单位重量 8.721 g
RGCL80TK60DGC11 同类别型号
注
RGCL80TK60DGC11
型号：RGCL80TK60DGC11
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：433 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥71.399918 |
| 10+： | ￥59.898674 |
| 450+： | ￥43.07197 |
| 1350+： | ￥36.880363 |
| 2250+： | ￥34.726777 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥71.40