货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥64.251306 | ¥64.25 |
10 | ¥57.665546 | ¥576.66 |
100 | ¥47.249423 | ¥4724.94 |
500 | ¥40.22206 | ¥20111.03 |
1000 | ¥34.287958 | ¥34287.96 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.5 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 95 A
耗散功率 276 W
集电极连续电流(Max) 95 A
栅极—射极漏泄电流 200 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGTV00TS65
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0RGTV00TS65GC11
型号:RGTV00TS65GC11
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥64.251306 |
10+: | ¥57.665546 |
100+: | ¥47.249423 |
500+: | ¥40.22206 |
1000+: | ¥34.287958 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥64.25