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制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
系列 -
包装 卷带(TR)
产品状态 在售
FET 类型 N 通道
击穿电压 50 V
漏源电流 14 mA @ 10 V
漏极电流(Max) 14 mA
截止电压 1.5 V @ 100 nA
输入电容(Max) 13pF @ 10V
功率-(Max) 150 mW
工作温度 125°C(TJ)
产品编号 2SK209
产品安装类型 表面贴装型
封装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装 SC-59
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02SK209-Y(TE85L,F)
型号:2SK209-Y(TE85L,F)
品牌:Toshiba
供货:锐单
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