RGTH80TK65GC11
库存 ：450
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥70.552226 | ￥70.55 |
| 10 | ￥63.426167 | ￥634.26 |
| 25 | ￥59.960891 | ￥1499.02 |
| 100 | ￥47.967013 | ￥4796.70 |
| 250 | ￥45.302463 | ￥11325.62 |
| 500 | ￥42.637345 | ￥21318.67 |
| 1000 | ￥37.307677 | ￥37307.68 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.6 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 31 A
耗散功率 66 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGTH80TK65
RGTH80TK65GC11 同类别型号
注
RGTH80TK65GC11
型号：RGTH80TK65GC11
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：450 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥70.552226 |
| 10+： | ￥63.426167 |
| 25+： | ￥59.960891 |
| 100+： | ￥47.967013 |
| 250+： | ￥45.302463 |
| 500+： | ￥42.637345 |
| 1000+： | ￥37.307677 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥70.55