货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥61.532998 | ¥61.53 |
10 | ¥55.317918 | ¥553.18 |
25 | ¥52.295635 | ¥1307.39 |
100 | ¥41.835025 | ¥4183.50 |
250 | ¥39.511105 | ¥9877.78 |
500 | ¥37.186688 | ¥18593.34 |
1000 | ¥32.538353 | ¥32538.35 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.6 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 31 A
耗散功率 66 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGTH80TK65
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0RGTH80TK65GC11
型号:RGTH80TK65GC11
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥61.532998 |
10+: | ¥55.317918 |
25+: | ¥52.295635 |
100+: | ¥41.835025 |
250+: | ¥39.511105 |
500+: | ¥37.186688 |
1000+: | ¥32.538353 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥61.53