RGTV60TS65DGC11
库存 ：377
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥70.97724 | ￥70.98 |
| 10 | ￥63.695343 | ￥636.95 |
| 25 | ￥60.215899 | ￥1505.40 |
| 100 | ￥48.17102 | ￥4817.10 |
| 250 | ￥45.495136 | ￥11373.78 |
| 500 | ￥42.818684 | ￥21409.34 |
| 1000 | ￥37.466349 | ￥37466.35 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.5 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 60 A
耗散功率 194 W
集电极连续电流（Max） 60 A
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGTV60TS65D
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注
RGTV60TS65DGC11
型号：RGTV60TS65DGC11
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：377 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥70.97724 |
| 10+： | ￥63.695343 |
| 25+： | ￥60.215899 |
| 100+： | ￥48.17102 |
| 250+： | ￥45.495136 |
| 500+： | ￥42.818684 |
| 1000+： | ￥37.466349 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥70.98