RGW80TK65GVC11
库存 ：450
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥71.402252 | ￥71.40 |
| 10 | ￥64.063688 | ￥640.64 |
| 25 | ￥60.567244 | ￥1514.18 |
| 100 | ￥48.451529 | ￥4845.15 |
| 250 | ￥45.759776 | ￥11439.94 |
| 500 | ￥43.068025 | ￥21534.01 |
| 1000 | ￥37.684522 | ￥37684.52 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.5 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 39 A
耗散功率 81 W
集电极连续电流（Max） 39 A
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
RGW80TK65GVC11 同类别型号
注
RGW80TK65GVC11
型号：RGW80TK65GVC11
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：450 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥71.402252 |
| 10+： | ￥64.063688 |
| 25+： | ￥60.567244 |
| 100+： | ￥48.451529 |
| 250+： | ￥45.759776 |
| 500+： | ￥43.068025 |
| 1000+： | ￥37.684522 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥71.40