AFT09MS007NT1
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- 制造商编号：
- AFT09MS007NT1
- 制造商：
- NXP(恩智浦)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1000 | ￥15.303222 | ￥15303.22 |
| 2000 | ￥14.951817 | ￥29903.63 |
| 3000 | ￥14.775863 | ￥44327.59 |
规格参数
关键信息
制造商 NXP
商标 NXP Semiconductors
技术类参数
晶体管极性 N-Channel
技术 Si
漏源击穿电压 400 mV, 30 V
工作频率 870 MHz
输出功率 7.3 W
湿度敏感性 Yes
耗散功率 114 W
栅极电压 - 6 V, 12 V
栅源极阈值电压 2.1 V
规格参数
增益 15.2 dB
物理类型
产品种类 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF MOSFET Transistors
类型 RF Power MOSFET
零件号别名 935318254515
单位重量 280 mg
AFT09MS007NT1 同类别型号
注
AFT09MS007NT1品牌厂家：NXP
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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替代型号
、AFT09MS007NT1
数据手册PDF
。
AFT09MS007NT1
型号：AFT09MS007NT1
品牌：NXP
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1000+： | ￥15.303222 |
| 2000+： | ￥14.951817 |
| 3000+： | ￥14.775863 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00