货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥44.820365 | ¥44.82 |
10 | ¥40.249236 | ¥402.49 |
100 | ¥32.97792 | ¥3297.79 |
500 | ¥28.073311 | ¥14036.66 |
1000 | ¥23.931608 | ¥23931.61 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.5 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 78 A
耗散功率 214 W
集电极连续电流(Max) 78 A
栅极—射极漏泄电流 200 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
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0RGW80TS65DGC11
型号:RGW80TS65DGC11
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥44.820365 |
10+: | ¥40.249236 |
100+: | ¥32.97792 |
500+: | ¥28.073311 |
1000+: | ¥23.931608 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥44.82