RGW80TS65DGC11
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥36.647641 | ￥36.65 |
| 10 | ￥32.910029 | ￥329.10 |
| 100 | ￥26.964595 | ￥2696.46 |
| 500 | ￥22.954312 | ￥11477.16 |
| 1000 | ￥19.567823 | ￥19567.82 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.5 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 78 A
耗散功率 214 W
集电极连续电流（Max） 78 A
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
RGW80TS65DGC11 同类别型号
注
RGW80TS65DGC11
型号：RGW80TS65DGC11
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥36.647641 |
| 10+： | ￥32.910029 |
| 100+： | ￥26.964595 |
| 500+： | ￥22.954312 |
| 1000+： | ￥19.567823 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥36.65