RGS60TS65HRC11
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥37.182551 | ￥37.18 |
| 10 | ￥33.392791 | ￥333.93 |
| 25 | ￥31.565125 | ￥789.13 |
| 100 | ￥25.252672 | ￥2525.27 |
| 250 | ￥23.849746 | ￥5962.44 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.65 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 56 A
耗散功率 223 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 IGBT Transistors
RGS60TS65HRC11 同类别型号
注
RGS60TS65HRC11
型号：RGS60TS65HRC11
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥37.182551 |
| 10+： | ￥33.392791 |
| 25+： | ￥31.565125 |
| 100+： | ￥25.252672 |
| 250+： | ￥23.849746 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥37.18