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起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥37.760923 | ¥37.76 |
10 | ¥33.900659 | ¥339.01 |
100 | ¥27.774406 | ¥2777.44 |
500 | ¥23.643822 | ¥11821.91 |
1000 | ¥19.940585 | ¥19940.58 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 2.1 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 80 A
耗散功率 366 W
集电极连续电流(Max) 80 A
栅极—射极漏泄电流 200 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 38 g
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0NGTB40N65FL2WG
型号:NGTB40N65FL2WG
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥37.760923 |
10+: | ¥33.900659 |
100+: | ¥27.774406 |
500+: | ¥23.643822 |
1000+: | ¥19.940585 |
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