NGTB40N60L2WG
库存 ：39
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥74.383262 | ￥74.38 |
| 10 | ￥66.759596 | ￥667.60 |
| 25 | ￥63.109626 | ￥1577.74 |
| 100 | ￥50.486713 | ￥5048.67 |
| 250 | ￥47.681896 | ￥11920.47 |
| 500 | ￥44.877078 | ￥22438.54 |
| 1000 | ￥39.267443 | ￥39267.44 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
饱和电压 2 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 80 A
耗散功率 417 W
集电极连续电流（Max） 80 A
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 38 g
NGTB40N60L2WG 同类别型号
注
NGTB40N60L2WG
型号：NGTB40N60L2WG
品牌：ON
供货：锐单
库存：39 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥74.383262 |
| 10+： | ￥66.759596 |
| 25+： | ￥63.109626 |
| 100+： | ￥50.486713 |
| 250+： | ￥47.681896 |
| 500+： | ￥44.877078 |
| 1000+： | ￥39.267443 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥74.38