FGH40T120SQDNL4
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥41.34843 | ￥41.35 |
| 10 | ￥37.374268 | ￥373.74 |
| 100 | ￥30.943837 | ￥3094.38 |
| 500 | ￥26.945358 | ￥13472.68 |
| 1000 | ￥23.468555 | ￥23468.56 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V
饱和电压 1.78 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 160 A
耗散功率 454 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 9.195 g
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注
FGH40T120SQDNL4品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、FGH40T120SQDNL4
数据手册PDF。
FGH40T120SQDNL4
型号：FGH40T120SQDNL4
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥41.34843 |
| 10+： | ￥37.374268 |
| 100+： | ￥30.943837 |
| 500+： | ￥26.945358 |
| 1000+： | ￥23.468555 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥41.35