货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥297.093303 | ¥297.09 |
10 | ¥273.957711 | ¥2739.58 |
100 | ¥233.94433 | ¥23394.43 |
500 | ¥217.798152 | ¥108899.08 |
制造商 IXYS
商标 IXYS
商标名 BIMOSFET
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 2.5 kV
饱和电压 3.15 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 5 A
耗散功率 32 W
集电极连续电流(Max) 5 A
栅极—射极漏泄电流 +/- 100 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 6 g
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0IXBT2N250
型号:IXBT2N250
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥297.093303 |
10+: | ¥273.957711 |
100+: | ¥233.94433 |
500+: | ¥217.798152 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥297.09