货期:(7~10天)
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数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥2099.948095 | ¥2099.95 |
10 | ¥2011.22158 | ¥20112.22 |
25 | ¥1966.849598 | ¥49171.24 |
制造商 NXP
商标 NXP Semiconductors
晶体管极性 N-Channel
技术 Si
漏源击穿电压 130 V
工作频率 1.8 MHz to 600 MHz
输出功率 600 W
配置 Dual
耗散功率 1.667 kW
栅极电压 10 V
栅源极阈值电压 2.2 V
增益 25 dB
产品种类 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF MOSFET Transistors
类型 RF Power MOSFET
零件号别名 935310538178
单位重量 13.155 g
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0MRFE6VP5600HR5
型号:MRFE6VP5600HR5
品牌:NXP
供货:锐单
单价:
1+: | ¥2099.948095 |
10+: | ¥2011.22158 |
25+: | ¥1966.849598 |
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单价:¥0.00总价:¥2099.95