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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 12.5 A
漏源电阻 9.3 mOhms
耗散功率 2 W
正向跨导(Min) 10 S
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 83 mg
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0RSH125N03TB1
型号:RSH125N03TB1
品牌:ROHM
供货:锐单
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