FGD3N60LSDTM
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥3.117728 | ￥7794.32 |
| 5000 | ￥2.961842 | ￥14809.21 |
| 12500 | ￥2.850509 | ￥35631.36 |
| 25000 | ￥2.794193 | ￥69854.82 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
栅极/发射极最大电压 20 V
集电极连续电流（Max） 6 A
外形参数
高度 2.3 mm
长度 6.6 mm
宽度 6.1 mm
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 260 mg
FGD3N60LSDTM 同类别型号
注
FGD3N60LSDTM品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、FGD3N60LSDTM
数据手册PDF。
FGD3N60LSDTM
型号：FGD3N60LSDTM
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥3.117728 |
| 5000+： | ￥2.961842 |
| 12500+： | ￥2.850509 |
| 25000+： | ￥2.794193 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00