IPL65R650C6SATMA1
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- 制造商编号：
- IPL65R650C6SATMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 8TSON
- 渠道：
- digikey
库存 ：1000
货期：（7~10天）
起订量：5000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 5000 | ￥8.976567 | ￥44882.83 |
规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 6.7 A
漏源电阻 650 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 21 nC
耗散功率 56.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 80 ns
典型接通延迟时间 12 ns
外形参数
高度 1.1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPL65R650C6S SP001163082
单位重量 76 mg
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注
IPL65R650C6SATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IPL65R650C6SATMA1
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IPL65R650C6SATMA1
型号：IPL65R650C6SATMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：1000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 5000+： | ￥8.976567 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00