FGD3N60LSDTM
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥18.032193 | ￥18.03 |
| 10 | ￥16.069866 | ￥160.70 |
| 100 | ￥12.529723 | ￥1252.97 |
| 500 | ￥10.350214 | ￥5175.11 |
| 1000 | ￥8.171237 | ￥8171.24 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
栅极/发射极最大电压 20 V
集电极连续电流（Max） 6 A
外形参数
高度 2.3 mm
长度 6.6 mm
宽度 6.1 mm
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 260 mg
FGD3N60LSDTM 同类别型号
注
FGD3N60LSDTM品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、FGD3N60LSDTM
数据手册PDF。
FGD3N60LSDTM
型号：FGD3N60LSDTM
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥18.032193 |
| 10+： | ￥16.069866 |
| 100+： | ￥12.529723 |
| 500+： | ￥10.350214 |
| 1000+： | ￥8.171237 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥18.03